三星取得三维半导体存储器件专利
三星于2024年1月8日获得了一项名为“三维半导体存储器件”的专利。该专利涉及一种新的三维半导体存储器件结构，该结构可以提高存储器件的性能和密度。该专利的创新之处在于，它提出了一种新的外围电路区结构。该结构将输
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2025-09-08
三星取得三维半导体存储器件专利
三星于2024年1月8日获得了一项名为“三维半导体存储器件”的专利。该专利涉及一种新的三维半导体存储器件结构，该结构可以提高存储器件的性能和密度。该专利的创新之处在于，它提出了一种新的外围电路区结构。该结构将输
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2025-09-06
