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GaN器件当前被称作HEMT(高电子迁移率晶体管)，此类高电子迁移率的晶体管应用于诸多电子设备中，如全控型电力开关、高频放大器或振荡器。与传统的硅金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 相比，氮化镓 (GaN) 可提高功率密度和效率，GaN 和 SiC 均具有宽带隙，但它们之间存在根本差异，因此分别适合特定的拓扑和应用。